查看: 55|回复: 0

关于磁控溅射的技术书集册

[复制链接]
发表于 2019-10-20 22:21:25 | 显示全部楼层 |阅读模式
关于磁控溅射的原理:是其相关电子在周围电场的效用中加速运动在撞向基片的原理中与其氩原子进行碰撞,使其超多的氩离子和电子被电离出来,让电场电子飞向基片。氩离子在范围内电场的运作下快速碰撞目标,迸溅出许多的目标原子,呈中性的目标原子(或分子)沉淀在基片上形成膜。二次电子在快速飞向基片的原理下被磁场洛伦兹力所影响发生改变,被束缚在接近目标面的等离子体范围内,该范围内的等离子体密度非常之高,使其二次电子在其磁场的效果中围绕目标面有规律的作圆周运动,并且电子的运动路径相对较长。
在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材,经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低,摆脱磁力线的束缚,远离靶材,最终沉积在基片上。 磁控溅射就是以磁场束缚和延长电子的运动路径,改变电子的运动方向,提高工作气体的电离率和有效利用电子的能量。电子的归宿不仅仅是基片,真空室内壁及靶源阳极也是电子归宿。但一般基片与真空室及阳极在同一电势。磁场与电场的交互作用( E X B drift)使单个电子轨迹呈三维螺旋状,而不是仅仅在靶面圆周运动。至于靶面圆周型的溅射轮廓,那是靶源磁场磁力线呈圆周形状分布。磁力线分布方向不同会对成膜有很大关系。 E X B shift机理下工作的除磁控溅射外,还有多弧镀靶源,离子源,等离子源等都在此原理下工作。所不同的是电场方向,电压电流大小等因素。
磁控溅射的基本原理是利用 ArO2混合气体中的等离子体在电场和交变磁场的作用下,被加速的高能粒子轰击靶材表面,能量交换后,靶材表面的原子脱离原晶格而逸出,转移到基体表面而成膜。
磁控溅射的特点是成膜速率高,基片温度低,膜的粘附性好,可实现大面积镀膜。该技术可以分为直流磁控溅射法射频磁控溅射法
磁控溅射(magnetron-sputtering)70年代迅速发展起来的一种高速低温溅射技术。磁控溅射是在阴极靶的表面上方形成一个正交电磁场。当溅射产生的二次电子在阴极位降区内被加速为高能电子后,并不直接飞向阳极,而是在正交电磁场作用下作来回振荡的近似摆线的运动


磁控溅射技术.pdf

22.32 MB, 阅读权限: 10, 下载次数: 0, 下载积分: 贡献 -1

回复

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

开通VIP|小黑屋|手机版|版权归属及声明|谷粉学术论坛 谷歌地图  

Copyright © 2008-2020 谷粉学术论坛(http://bbs.99lb.net) 版权所有 Reserved.

Powered by 学术论坛 X3.1  信息产业部备案/经营许可证编号 蜀ICP备4234235号QQ

快速回复 返回顶部 返回列表