[其他期刊] Multi-model hierarchy approach to simulate barrel reactors for epitaxial silicon deposition

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dohinka 发表于 2021-8-4 13:28:17 | 显示全部楼层 |阅读模式
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DOI号:        [color=var(--color-link)]https://doi.org/10.1051/jp4:20020086

文献链接:    https://jp4.journaldephysique.org/articles/jp4/abs/2002/04/jp4Pr4p121/jp4Pr4p121.html

文献作者:    M. Di Stanislao, G. Valente, S. Fascella, C. Spampinato, M. Masi and S. Carrà

备注信息:    scihub未收录
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